【EC安盈官网】大幅拉升！芯片巨头突爆大消息

　　两大芯片巨头重磅联手？

　　据最新消息，SK海力士正与英特尔洽谈合作事宜，拉升计划首次在美国本土生产存储芯片。芯片息受此影响，突爆英特尔、大幅大消SK海力士美股盘前股价均大幅拉升。拉升EC安盈官网今日下午，芯片息韩国存储芯片巨头SK海力士股价收涨超4%。突爆

　　不过，大幅大消16日晚间，拉升SK海力士官网发布公告表示，芯片息目前，突爆EC Markets注册关于公司与英特尔之间在美国生产存储芯片的大幅大消洽谈，尚无任何确定的拉升计划。

　　与此同时，芯片息美国存储巨头美光科技高管在接受采访时称，由于新建产能周期漫长且工艺极度复杂，行业至少要到2028年后才能迎来实质性的新增产能释放。长期供应协议正重塑行业商业模式，人形机器人将引爆下一波海量存储需求。

　　芯片巨头飙涨

　　据路透社援引消息人士的话报道，SK海力士正与英特尔洽谈合作事宜，计划首次在美国本土生产存储芯片。EC Markets外汇谈判地点聚焦于英特尔位于俄亥俄州的芯片制造工厂。

　　受此影响，英特尔股价在美股盘前交易中大幅拉升，一度大涨超5%，截至发稿，涨幅收窄至3%左右。

　　9月16日下午，韩国存储芯片巨头SK海力士股价亦直线拉升，截至收盘，涨幅达4.08%。港股南方两倍做多海力士大涨超6%。

　　三名知情人士透露，目前SK海力士与英特尔主要围绕以下两套方案进行洽谈：

　　方案一：SK海力士租用英特尔俄亥俄州工厂的部分产能，直接在当地开展存储芯片生产。

　　方案二：SK海力士与英特尔、主要云计算公司共同组建合资企业。云厂商的动机明确——它们迫切希望锁定存储芯片供应。背景是，AI和数据中心的持续高速投入，已造成存储芯片的严重短缺。

　　报道称，至于具体生产哪类芯片，目前尚未获悉。SK海力士的产品线涵盖用于服务器、PC和智能手机的DRAM芯片、提供长期存储的NAND闪存芯片，以及用于AI处理器的高带宽内存（HBM）——其中HBM领域，SK海力士是全球领先供应商。

　　目前谈判仍处于探索阶段，知情人士强调“尚未作出任何决定”，具体合作结构也存在多种可能。

　　报道称，这笔潜在交易，对英特尔、美国政府都有较大的价值。英特尔方面，公司近年来持续承压，俄亥俄州工厂的建设计划也因此陷入不确定。若SK海力士入局，相当于为这一项目注入外部支撑。

　　特朗普政府方面，其一直在向全球芯片企业施压，要求在美国本土建厂。SK海力士若在美国落地生产，将是这一政策的标志性成果。

　　但报道称，知情人士指出，韩国政府的潜在反对，可能是这笔交易面临的最大阻碍之一。

　　韩国政府历来对本国核心半导体技术外流保持高度警惕，SK海力士的存储芯片制造能力（HBM等技术）属于战略敏感领域，能否获得韩国政府的政策许可，将直接决定相关合作能否落地。

　　美光科技：新建产能周期漫长

　　美光科技高管警告称，存储已成为决定AI性能上限的最核心瓶颈，由于新建产能周期漫长且工艺极度复杂，行业至少要到2028年后才能迎来实质性的新增产能释放。

　　当地时间9月15日，美光科技CEO高级顾问Sumit Sadana接受采访时指出，由于AI模型需要存储在内存中，且海量数据需要在内存间来回传输，处理器与内存之间的带宽已成为性能的关键瓶颈。同时，存储市场正面临着长达数十年积累下来的结构性失衡——上世纪90年代初有多达20多家DRAM公司，如今只剩下寥寥几家；而目前设计处理器的公司却已超过20家。这种“少对多”的漏斗型供给格局，使得面对爆发式的AI需求时，存储供应链显得极为脆弱。

　　半导体工厂的建设受制于基础设施、监管审批以及技术工人的严重短缺，Sadana表示：“我们认为真正意义上有效的新增供应要到2028年才能开始逐步释放，而且这仅仅是初期阶段，产能增长的势头要到之后几年才能真正增强。因此，整个行业需要一段时间才能找到新的平衡点。”

　　目前，美光科技也正在开启前所未有的资本开支计划。Sadana透露：“2025财年我们的资本支出略高于130亿美元；2026财年将翻一番；2027财年预计将超过450亿美元。我们最近在美国宣布，将投资额从2000亿美元提高到2500亿美元，并加快了时间表。”